RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3987
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link