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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.6
20.2
写入速度,GB/s
12.0
16.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3876
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB RAM的比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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