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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
25
读取速度,GB/s
17.6
20.0
写入速度,GB/s
12.0
19.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
4243
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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