Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 33

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20 17.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

19.2 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 25
Скорость чтения, Гб/сек

17.6 20.0
Скорость записи, Гб/сек

12.0 19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2910 4243

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

AMD R748G2133U2S 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston 9905734-073.A00G 16GB

Kingston 9905734-073.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB

модули RAM