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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.6
18.2
写入速度,GB/s
12.0
14.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3463
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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