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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905625-142.A00G 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.6
13.8
写入速度,GB/s
12.0
10.7
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2737
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905625-142.A00G 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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