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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905712-035.A00G 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.6
14.7
写入速度,GB/s
12.0
10.5
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2461
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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