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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
74
左右 -68% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
44
读取速度,GB/s
4,178.4
14.2
写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3145
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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