RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
74
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
44
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3145
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link