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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905744-024.A00G 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
38
读取速度,GB/s
17.6
14.4
写入速度,GB/s
12.0
12.9
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2836
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
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