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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965596-002.B00G 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
17.6
9.6
写入速度,GB/s
12.0
8.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2346
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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