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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
35
读取速度,GB/s
17.6
14.9
写入速度,GB/s
12.0
9.1
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2487
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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