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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.6
15.6
写入速度,GB/s
12.0
7.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2244
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
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