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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
53
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
32
读取速度,GB/s
3,726.4
16.3
写入速度,GB/s
1,590.1
12.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2999
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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