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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.6
17.3
写入速度,GB/s
12.0
13.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3267
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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