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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 -32% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
25
读取速度,GB/s
17.6
15.0
写入速度,GB/s
12.0
11.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2892
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
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Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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