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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
38
读取速度,GB/s
17.6
16.5
写入速度,GB/s
12.0
10.9
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2829
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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