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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
38
读取速度,GB/s
17.6
16.5
写入速度,GB/s
12.0
10.9
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2829
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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