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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
81
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
81
读取速度,GB/s
17.6
8.5
写入速度,GB/s
12.0
5.6
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1651
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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