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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
23400
左右 1.09% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.6
14.7
写入速度,GB/s
12.0
10.7
内存带宽,mbps
25600
23400
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2935
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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