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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
13.2
写入速度,GB/s
12.0
9.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2349
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
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