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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
17.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
58
读取速度,GB/s
17.6
17.7
写入速度,GB/s
12.0
9.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1968
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston XF875V-MIH 8GB
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Kingston KM0VW4-MID 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
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