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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
43
读取速度,GB/s
17.6
13.9
写入速度,GB/s
12.0
8.1
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2058
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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