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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.6
16.5
写入速度,GB/s
12.0
12.1
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2969
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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