RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
33
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2969
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link