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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

总分
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

总分
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 58
    左右 43% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 19200
    左右 1.33% 更高的带宽
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB 需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.3 left arrow 17.6
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 18.3
  • 写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 8.9
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2910 left arrow 2181

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB RAM的比较

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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内存RAM