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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
比较
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
39
读取速度,GB/s
14.6
15.5
写入速度,GB/s
10.8
11.5
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2298
2264
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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