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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR5
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
15.8
13.4
写入速度,GB/s
11.8
12.4
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3436
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB RAM的比较
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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