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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
52
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
52
读取速度,GB/s
15.8
13.7
写入速度,GB/s
11.8
9.1
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
2182
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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