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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
37
读取速度,GB/s
14.9
15.1
写入速度,GB/s
9.5
12.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2873
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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