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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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需要考虑的原因
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
15.8
17.0
写入速度,GB/s
11.8
15.6
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3509
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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