Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

总分
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

总分
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    25 left arrow 36
    左右 -44% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.8 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.8 left arrow 11.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    36 left arrow 25
  • 读取速度,GB/s
    15.8 left arrow 16.8
  • 写入速度,GB/s
    11.8 left arrow 12.8
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2497 left arrow 2989
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较