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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.3
14.5
写入速度,GB/s
8.5
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2129
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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