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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
13.3
15.4
写入速度,GB/s
8.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2791
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
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