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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
41
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
2791
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
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