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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
41
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
22
读取速度,GB/s
13.3
17.6
写入速度,GB/s
8.5
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3060
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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