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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
13.3
14.4
写入速度,GB/s
8.5
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2712
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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