RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Compara
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
2712
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link