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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.3
20.2
写入速度,GB/s
8.5
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3876
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
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