RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
51
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
35
读取速度,GB/s
9.8
15.2
写入速度,GB/s
8.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2705
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link