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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Kingston 9905743-034.A00G 8GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.3
15.9
写入速度,GB/s
8.5
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3026
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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