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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.3
19.4
写入速度,GB/s
8.5
15.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3594
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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