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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
13.6
12.2
写入速度,GB/s
8.4
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3199
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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