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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
23
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
20
读取速度,GB/s
13.4
19.2
写入速度,GB/s
8.0
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3326
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
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