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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.4
16.8
写入速度,GB/s
8.0
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3154
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
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