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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
36
读取速度,GB/s
13.4
14.5
写入速度,GB/s
8.0
13.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3192
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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