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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.4
18.0
写入速度,GB/s
8.0
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3314
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
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