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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

总分
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

总分
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Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 33
    左右 30% 更低的延时
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 3155

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB RAM的比较

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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内存RAM
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
内存RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
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内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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