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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
32
读取速度,GB/s
13.4
14.6
写入速度,GB/s
8.0
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2959
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
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