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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

总分
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

总分
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 28
    左右 18% 更低的延时
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.1 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 15.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 3666

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较

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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
内存RAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
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内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
内存RAM
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
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Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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